Fachartikel |
26.07.2010
Die auf hoch effizienter InGaN- und AllnGaP-Technologie basierenden LEDs VLMR51, VLMK51, VLMY51 und VLMW51 erreichen hohe Lichtströme von 8,5 lm bis 30,6 lm und Lichtstärken von 2.850 mcd bis 9.750 mcd. Die LEDs weisen einen extrem niedrigen Sperrschicht/Umgebung-Wärmewiderstand bis zu 100 K/W (befestigt auf PCB, Cu>900 mm2) auf und können eine Leistung von bis zu 738 mW aufnehmen; dadurch sind Betriebsströme bis zu 200 mA möglich.
Durch diese hervorragenden Spezifikationen und ihre kompakten Abmessungen von nur 3,5 mm x 3,5 mm x 1,2 mm sollen die LEDs der Serie VLMx51 eine ideale Lösung für Architekturbeleuchtung, Hintergrundbeleuchtung, Begrenzungsleuchten, Verkehrsampeln und Beleuchtungsanwendungen allgemeiner Art sein.
Durch diese hervorragenden Spezifikationen und ihre kompakten Abmessungen von nur 3,5 mm x 3,5 mm x 1,2 mm sollen die LEDs der Serie VLMx51 eine ideale Lösung für Architekturbeleuchtung, Hintergrundbeleuchtung, Begrenzungsleuchten, Verkehrsampeln und Beleuchtungsanwendungen allgemeiner Art sein.
Die neuen LEDs sind AEC-Q101-qualifiziert und erfüllen laut Hersteller damit die Anforderungen der Automobilindustrie. Die LEDs der Serie VLMx51 haben einen Abstrahlwinkel von 120°. Innerhalb einer Verpackungseinheit haben alle LEDs ein Lichtstromverhältnis <1,6. Die Verpackungseinheiten sind nach Lichtstärke und Farbe kategorisiert.
Die LEDs erfüllen die Anforderungen der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC sowie des Standards WEEE 2002/96/EC und sind mit IR-Reflow-Lötprofilen nach J-STD-020 kompatibel. Die LEDs erfüllen JEDEC Level 2a und widerstehen elektrostatischen Entladungen bis 2 kV (HBM) nach JESD22-A114-B.
Die LEDs erfüllen die Anforderungen der RoHS-Richtlinie 2002/95/EC sowie des Standards WEEE 2002/96/EC und sind mit IR-Reflow-Lötprofilen nach J-STD-020 kompatibel. Die LEDs erfüllen JEDEC Level 2a und widerstehen elektrostatischen Entladungen bis 2 kV (HBM) nach JESD22-A114-B.
