Aluminiumnitrid-Substrate haben eine geringe Defektdichte, eine hohe UV-Transparenz und einen geringen Anteil an Verunreinigungen. AlN ist aufgrund seiner extrem breiten Bandlücke und seiner sehr hohen Wärmeleitfähigkeit für eine Vielzahl von Anwendungen, wie etwa UVC-LEDs und Leistungsgeräte, attraktiv. Das hergestellte 100mm-Substrat weist eine nutzbare Fläche von über 80% auf, und entspricht damit den aktuellen Anforderungen für UVC-LEDs.
"Wir freuen uns sehr, die Herstellung eines 100mm-Substrats aus Aluminiumnitrid bekannt geben zu können", sagte Dr. Naohiro Kuze, Executive Fellow, Research Laboratory of Advanced Science and Technology bei Asahi Kasei. "Dieser Erfolg zeigt, dass Aluminiumnitrid nicht nur für UVC-LEDs, sondern auch für andere Branchen kommerziell nutzbar ist."
Crystal IS wurde 1997 gegründet und stellt mit seinem kommerziellen Verfahren für Substrate aus nativem Aluminiumnitrid mit einem Durchmesser von 50mm (2 Zoll) UVC-LEDs her. Diese LEDs ermöglichen mit hoher Zuverlässigkeit und Leistung die keimtötenden Wellenlängen von 260nm - 270nm. "Das zeigt die Skalierbarkeit unserer Prozesse zur Herstellung von Qualitätsbauteilen aus Aluminiumnitrid", sagte Eoin Connolly, Präsident und CEO von Crystal IS. "Wir sind stolz auf die Leistung des Teams und seine Auswirkungen auf die gesamte Halbleiterindustrie."
Crystal IS produziert derzeit jährlich Tausende von 50mm-Substraten zur Unterstützung der Produktion seiner Klaran- und Optan-Produktlinien. Die Kommerzialisierung von 100mm-AlN-Substraten wird den Ausstoß an Bauelementen auf der bestehenden Grundfläche der Anlage auf Green Island vervierfachen. Sie wird auch die Entwicklung neuer Anwendungen auf Aluminiumnitrid-Substraten ermöglichen, da sie in bestehende Fertigungslinien für Leistungs- und Hochfrequenz-Bauelemente mit alternativen Materialien integriert werden kann.
Crystal IS wird die Fortschritte bei 100mm-Substraten auf der 23. American Conference on Crystal Growth and Epitaxy vom 13. bis 18. August in Tucson, Arizona vorstellen.